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실리콘 탄소 막대기의 작동 원리는 그것의 주요 원료인 고순도 실리콘 탄화재의 반도체 특성 및 물리적 및 화학적 특성에 기초합니다.전도성 관점에서실리콘 카바이드 (Cr) 는 넓은 반구 반도체입니다. 방온에서는 자유 운반자가 거의 없고 저항이 높습니다. 전원을 켜면전자는 에너지를 흡수하고 전류를 형성하기 위해 전도 대역으로 점프합니다.라티스 진동은 저항을 줄이기 위해 전자의 이동을 돕습니다. 온도가 상승하면 대역 폭이 감소합니다.운반자 농도의 증가로 저항은 음 온도 계수와 함께 변화합니다.가열 메커니즘의 측면에서, Joule의 법칙에 따라, 전류가 실리콘 탄소 막대기를 통과하면, 운반자와 격자 사이의 충돌은 열을 생성합니다.
작업 과정에서 다른 온도 단계는 다른 특성을 나타냅니다. 저항은 방온에서 400°C까지 서서히 감소합니다.저항은 400~700°C에서 현저히 감소하고 산화 속도는 가속화됩니다., 이는 급격한 온도 상승을 필요로합니다; 700 ° C 이상에는 표면에 밀도가 높은 이산화 실리콘 보호 필름이 형성되며 산화 속도가 느려지고 안정적인 작업 영역에 진입합니다.전력 안정성 확보, 조절 가능한 트랜스포머 또는 티리스터 전력 조절기가 필요하여 온도에 따라 전압을 실시간으로 조정합니다.실리콘 탄소 막대의 높은 열 전도성은 그 열이 빠르게 표면에 전달되도록합니다., 따라서 방사선 및 공류를 통해 가열 된 물체를 가열합니다. 표면에 자체 생성 된 이산화 실리콘 보호 필름은 산소가 침투하는 것을 방지하고 서비스 수명을 연장 할 수 있습니다..그러나 저항이 비정상적으로 증가하거나 열 스트레스가 기계적 파열을 일으키거나 화학적 부식으로 산화물 필름이 파괴되면 실리콘 탄소 막대가 고장납니다.
